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FDB42AN15A0
N沟道,电流:35A,耐压:150V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB42AN15A0
- 商品编号
- C3277522
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 225pF |
商品概述
国际整流器公司（International Rectifier）的第五代HEXFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 D²Pak是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。在现有的任何表面贴装封装中，它具有最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²Pak适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0W的功率。 通孔版本（IRLZ24NL）适用于薄型应用。
商品特性
- 导通电阻rDS(ON) = 36 mΩ(典型值),栅源电压VGS = 10 V,漏极电流ID = 12 A
- 总栅极电荷Qg(tot) = 33 nC(典型值),栅源电压VGS = 10 V
- 低米勒电荷
- 低反向恢复电荷体二极管
- 非钳位感性负载开关能力(单脉冲和重复脉冲)
应用领域
- 直流-直流转换器和离线式不间断电源
- 分布式电源架构和电压调节模块
- 24V和48V系统的主开关
- 高压同步整流器
- 直接喷射/柴油喷射系统
- 电子气门机构系统