NTB25P06T4
P沟道 MOSFET,电流:-27.5A,耐压:-60V
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- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
NTB25P06T4商品编号
C3277453商品封装
D2PAK包装方式
编带
商品毛重
1.86克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 27.5A | |
导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V,12.5A | |
耗散功率(Pd) | 120W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.68nF@25V | |
反向传输电容(Crss) | 180pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
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