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NTB25P06T4实物图
  • NTB25P06T4商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTB25P06T4

P沟道 MOSFET,电流:-27.5A,耐压:-60V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTB25P06T4
商品编号
C3277453
商品封装
D2PAK​
包装方式
编带
商品毛重
1.86克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)27.5A
导通电阻(RDS(on))82mΩ@10V
耗散功率(Pd)120W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)88nC@10V
输入电容(Ciss)1.68nF
反向传输电容(Crss)180pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)480pF

数据手册PDF