IRF3704SPBF
N沟道,电流:77A,耐压:20V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF3704SPBF
- 商品编号
- C3277449
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 77A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 87W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.996nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
适用于基站应用的75 W LDMOS功率晶体管，在3400 MHz至3800 MHz频率范围内具有改进的视频带宽。
商品特性
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻，提供出色的热稳定性
- 去耦功能可改善视频带宽
- 专为宽带操作设计（3400 MHz至3800 MHz）
- 较低的输出电容，可提高Doherty应用中的性能
- 专为低记忆效应设计，具有出色的预失真能力
- 内部匹配，使用方便
- 集成ESD保护
- 符合关于有害物质限制（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
- 用于3400 MHz至3800 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器