IRFZ48VSPBF
N沟道,电流:72A,耐压:60V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFZ48VSPBF
- 商品编号
- C3277443
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.985nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 91pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 496pF |
商品概述
先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术,实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势,再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件,可广泛应用于各种领域。 D2Pak是一种表面贴装功率封装,能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。在现有的所有表面贴装封装中,它具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低,D2Pak适用于大电流应用,在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0W的功率。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 动态dv/dt额定值
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 针对开关电源应用进行优化
- 无铅