CMSBN4616-HF
双N沟道,电流:8A,耐压:15V
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- 品牌名称
- Comchip(典琦)
- 商品型号
- CMSBN4616-HF
- 商品编号
- C3277424
- 商品封装
- SMD-4P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
适用于0.5 GHz至1.4 GHz范围内脉冲应用的130 W LDMOS晶体管。
商品特性
- 具备静电放电(ESD)保护。
- 该器件采用共漏极配置,适用于作为单向或双向负载开关。
应用领域
- 用于0.5 GHz至1.4 GHz频率范围脉冲应用的放大器