商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 145W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 46pF |
商品概述
硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体(D-MOS)推挽晶体管,专为超高频(UHF)频段的通信发射机应用而设计。 该晶体管采用带两个陶瓷帽的4引脚SOT268A平衡法兰封装。安装法兰为晶体管提供公共源极连接。
商品特性
-高功率增益-易于进行功率控制-良好的热稳定性-金金属化确保出色的可靠性-专为宽带运行而设计
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