CPH3360-TL-W
P沟道,电流:-1.6A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- CPH3360-TL-W
- 商品编号
- C3277410
- 商品封装
- CPH-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 617mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 82pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
商品概述
HTNFET是一款高可靠性N沟道功率场效应晶体管，专为极宽温度范围的应用而设计，如井下仪器、涡轮发动机和工业过程控制。该功率场效应晶体管采用绝缘体上硅（SOI）工艺制造，可显著降低高温下的漏电流。 高直流电流能力与低导通电阻（Rds-ON）相结合，使该元件适用于直流和开关应用。通常，在性能降额的情况下，器件可在+300°C下工作长达一年。所有器件都经过老化测试，以消除早期失效。此外，每个器件都在-55°C至+225°C的温度范围内进行测试，以确保在整个温度区间内的性能。
商品特性
- 高速开关
- 4V驱动
- 无铅、无卤且符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器