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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@4.5V,4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | 共漏 |
交货周期
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