AOCA32108E
2个N沟道 耐压:12V 电流:25A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOCA32108E
- 商品编号
- C3277333
- 商品封装
- ADFN-10(1.5x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关式DC/DC转换器、开关模式电源、不间断电源用DC-AC转换器以及电机控制。
商品特性
- 4.6A、200V，VGS = 10V时，RDS(on) = 0.8Ω
- 低栅极电荷（典型值12nC）
- 低Crss（典型值10pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-电池保护开关-移动设备电池充放电