商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V | |
| 输入电容(Ciss) | 24pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AOC2421采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.2V的栅极电压下工作，同时保持5V的VGS(MAX)额定值。
商品特性
- 保证在28伏、150 MHz条件下工作
- 具备小信号和大信号特性
- 在所有相位角下以30:1电压驻波比(VSWR)对负载失配进行100%测试
- 为推挽电路应用提供节省空间的封装
- 出色的热稳定性,非常适合A类工作
- 便于手动增益控制、自动电平控制(ALC)和调制技术