SI5441BDC-T1-E3
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.4A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI5441BDC-T1-E3
- 商品编号
- C3277310
- 商品封装
- SMD-8P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用无引脚 1206 - 8 封装的新型威世硅尼克斯 ChipFET 器件,其外形与常用的 1206 - 8 电阻器和电容器相同,但具备真正功率半导体器件的所有性能。1206 - 8 ChipFET 与 LITTLE FOOT® TSOP - 6 的主体具有相同的占位面积,从可视化电路板面积的角度来看,可将其视为无引脚的 TSOP - 6,但它的热性能可与大得多的 SO - 8 相媲美。
商品特性
- 符合 IEC 61249 - 2 - 21 标准的无卤产品可供选择
- TrenchFET® 功率 MOSFET
应用领域
- 调频广播
- 电视频道频段