商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 28pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
专为频率高达175 MHz的宽带商业应用而设计。该器件的高功率、高增益和宽带性能特别适用于调频广播或电视频道频段的固态发射机和放大器。
商品特性
- 在500 MHz、28 Vdc条件下保证性能
- 输出功率 = 20 W
- 增益 = 13.5 dB
- 效率 = 50%
- 可替代MRF136、V2820、BLF244、SD1902和ST1001等行业标准器件
- 针对所有相位角下30:1电压驻波比(VSWR)的负载失配进行100%测试
- 便于手动增益控制、自动电平控制(ALC)和调制技术实现
- 出色的热稳定性,非常适合A类工作
- 低Crss — 在VDS = 28 V时为4.0 pF
应用领域
- 调频广播或电视频道频段的固态发射机和放大器