MRF160
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 耗散功率(Pd) | 24W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.8pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6.5pF |
商品概述
主要设计用于30 - 500 MHz的宽带大信号输出和驱动级。N沟道增强型MOSFET
商品特性
- 保证在 28 V、500 MHz 下工作
- 输出功率 = 4.0 W
- 增益 = 16 dB(最小值)
- 效率 = 55%(典型值)
- 出色的热稳定性,非常适合 A 类工作
- 便于手动增益控制、自动电平控制(ALC)和调制技术
- 在所有相位角下以 30:1 的电压驻波比(VSWR)对负载失配进行 100% 测试
- 低反向传输电容(Crss)——在 VDS = 28 V 时典型值为 0.8 pF