NE5550979A-T1-A
高输出功率LDMOS FET,电流:3.0A,耐压:30V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NE5550979A-T1-A
- 商品编号
- C3277298
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 37V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 高输出功率:典型输出功率Pout = 39.5 dBm(VDS = 7.5 V,IDset = 200 mA,f = 460 MHz,Pin = 25 dBm)
- 高功率附加效率:典型附加效率ηadd = 66%(VDS = 7.5 V,IDset = 200 mA,f = 460 MHz,Pin = 25 dBm)
- 高线性增益:典型线性增益GL = 22 dB(VDS = 7.5 V,IDset = 200 mA,f = 460 MHz,Pin = 10 dBm)
- 高静电放电耐受性:静电放电耐受性> 8 kV(IEC61000 - 4 - 2,接触放电)
- 适用于甚高频至超高频频段的AB类功率放大器。
应用领域
- 150 MHz频段无线电系统
- 460 MHz频段无线电系统
- 900 MHz频段无线电系统
相似推荐
其他推荐
- NE5520379A-T1A-A
- NE5531079A-T1-A
- NP16N06YLL-E1-AY
- NP20P06YLG-E1-AY
- NP75P04YLG-E1-AY
- NP35N055YUK-E1-AY
- NP75N04YUK-E1-AY
- NP75P03YDG-E1-AY
- NP50P03YDG-E1-AY
- NP16N06QLK-E1-AY
- NP29N04QUK-E1-AY
- NP30N04QUK-E1-AY
- NP29N06QUK-E1-AY
- NP50N04YUK-E1-AY
- NP29N06QDK-E1-AY
- RJK03E0DNS-00#J5
- RJK03E1DNS-00#J5
- UPA2826T1S-E2-AT
- HAF1002-90STL
- RJK0332DPB-00#J0
- RJK0330DPB-01#J0
