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NE5550979A-T1-A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NE5550979A-T1-A

高输出功率LDMOS FET,电流:3.0A,耐压:30V

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商品型号
NE5550979A-T1-A
商品编号
C3277298
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)37V
连续漏极电流(Id)3A
属性参数值
耗散功率(Pd)25W
阈值电压(Vgs(th))2.25V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 高输出功率:典型输出功率Pout = 39.5 dBm(VDS = 7.5 V,IDset = 200 mA,f = 460 MHz,Pin = 25 dBm)
  • 高功率附加效率:典型附加效率ηadd = 66%(VDS = 7.5 V,IDset = 200 mA,f = 460 MHz,Pin = 25 dBm)
  • 高线性增益:典型线性增益GL = 22 dB(VDS = 7.5 V,IDset = 200 mA,f = 460 MHz,Pin = 10 dBm)
  • 高静电放电耐受性:静电放电耐受性> 8 kV(IEC61000 - 4 - 2,接触放电)
  • 适用于甚高频至超高频频段的AB类功率放大器。

应用领域

  • 150 MHz频段无线电系统
  • 460 MHz频段无线电系统
  • 900 MHz频段无线电系统

数据手册PDF