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SIZ340BDT-T1-GE3
2个N沟道 耐压:30V 电流:36A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIZ340BDT-T1-GE3
- 商品编号
- C3277303
- 商品封装
- Power-33-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 69.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.56mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.065nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 440pF |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 100%进行Rq和UIS测试
- PowerPAIR集成半桥MOSFET功率级
- 优化的Qgd/Qgs比可改善开关特性
应用领域
-CPU核心电源-计算机/服务器外设负载点(POL)-同步降压转换器-电信DC/DC电源
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