SI8410DB-T2-E1
N沟道MOSFET,电流:5.7A,耐压:20V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI8410DB-T2-E1
- 商品编号
- C3277288
- 商品封装
- MicroFoot-4(1x1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 68mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 850mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
None
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 超小外形尺寸,最大为1 mm x 1 mm
- 超薄设计,最大高度为0.548 mm
应用领域
- 负载开关
- 电源管理
- 高速开关
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