商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@100mA | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF@28V | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF@28V | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
专为电源、转换器、动力电机控制和桥接电路中的高压、高速开关应用而设计。
商品特性
- 更高的电流额定值
- 更低的导通电阻RDS(on)
- 更低的电容
- 更低的总栅极电荷
- 更严格的源漏二极管正向电压VSD规格
- 规定了雪崩能量
应用领域
- 开关模式电源
- 脉宽调制（PWM）电机控制
- 转换器
- 桥接电路