商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
专为电源、转换器、动力电机控制和桥接电路中的高压、高速开关应用而设计。
商品特性
- 规定在28 V、30 MHz条件下的特性
- 出色的高阶互调失真(IMD)性能
- 针对30:1电压驻波比(VSWR)下所有相位角的负载失配进行100%测试
应用领域
- 开关模式电源
- 脉宽调制（PWM）电机控制
- 转换器
- 桥接电路