商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA | |
| 耗散功率(Pd) | 17.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V | |
| 输入电容(Ciss) | 7pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
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商品特性
- 保证在28V、150 MHz条件下的性能
- 小信号和大信号特性表征
- 在所有相位角下以30:1的电压驻波比(VSWR)对负载失配进行100%测试
- 低噪声系数:在200 mA、150 MHz条件下为2.0 dB(典型值)
- 出色的热稳定性,非常适合A类工作
应用领域
- 标准级：计算机、办公设备、通信设备、测试和测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备、工业机器人
- 高质量级：运输设备（汽车、火车、轮船等）、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备、非专门用于生命支持的医疗设备