商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@50mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 100%进行Rq和UIS测试
- PowerPAIR集成半桥MOSFET功率级
- 优化的Qgd/Qgs比可改善开关特性
应用领域
- CPU核心电源
- 计算机/服务器外设
- 负载点（POL）
- 同步降压转换器
- 电信DC/DC电源