商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品特性
- 低反向传输电容(Crss) - 在VDS = 28 V时为8 pF
- 顶部金属采用镀金工艺
应用领域
-工业无线电设备-商业无线电设备-业余无线电设备