商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品概述
主要设计用于30 - 200 MHz的宽带大信号输出和驱动级。N沟道增强型MOSFET。保证在150 MHz、28 Vdc条件下的性能。输出功率 = 45 W。功率增益 = 17 dB(最小值)。效率 = 60%(最小值)。热稳定性优异,非常适合A类工作。便于手动增益控制、自动电平控制(ALC)和调制技术的实现。在所有相位角下,电压驻波比(VSWR)为30:1时进行100%负载失配测试。低反向传输电容(Crss) - 在VDS = 28 V时为8 pF。顶部金属采用镀金工艺。适用于工业、商业和业余无线电设备功率放大器应用的典型数据。
商品特性
- 低反向传输电容(Crss) - 在VDS = 28 V时为8 pF
- 顶部金属采用镀金工艺
应用领域
-工业无线电设备-商业无线电设备-业余无线电设备