MRF166W
N沟道增强型MOSFET,电流:8.0A,耐压:65V
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- 品牌名称
- MACOM
- 商品型号
- MRF166W
- 商品编号
- C3277287
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 175W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 28pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品特性
- 推挽配置可降低偶次谐波
- 保证在500 MHz、28 Vdc条件下的性能
- 出色的热稳定性,非常适合A类工作
- 便于手动增益控制、自动电平控制(ALC)和调制技术的实现
- 在所有相位角下,电压驻波比(VSWR)为30:1时,进行100%负载失配测试
- 低反向传输电容(Crss) — 在VDS = 28 V时为4.0 pF
应用领域
- 同步降压
- DC/DC转换
- 半桥
- 负载点