FDMC3300NZA
双N沟道MOSFET,电流:8A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC3300NZA
- 商品编号
- C3277307
- 商品封装
- Power-33-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 815pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 175pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
这款双N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺设计,旨在优化特殊MLP引线框架上VGS = 2.5 V时的rDS(on),且所有漏极位于封装的一侧。
商品特性
- VGS = 4.5 V、ID = 8.0 A时,最大rDS(on) = 26 mΩ
- VGS = 2.5 V、ID = 7.0 A时,最大rDS(on) = 34 mΩ
- ESD保护>2000V
- 新型MLP 3.3x3.3 mm封装,低外形 - 最大1mm
- 符合RoHS标准
应用领域
-锂离子电池组