温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IXTL2N450
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 4.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 220W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.86nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 267pF |