IPB230N06L3G
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB230N06L3G
- 商品编号
- C3277275
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@11uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
超低噪声与高增益
- 中空（气腔）塑料封装
商品特性
- 超低噪声系数与高相关增益：典型值 NF = 0.30 dB，典型值 Ga = 13.7 dB。@Vds = 2 V，ID = 10 mA，f = 12 GHz
应用领域
- 适用于第一级的 Ku 波段低噪声模块（LNB）