商品参数
参数完善中
商品概述
NE651R479A是一款0.4 W的砷化镓异质结场效应晶体管（GaAs HJ-FET），专为移动通信和无线PC局域网系统的中功率发射机应用而设计。它能够以高线性增益、高效率和出色的失真性能输出0.4 W的连续波（CW）功率，可作为NE6510179A和NE6510379A的驱动放大器。 严格的质量和控制程序确保了其可靠性和性能一致性。
商品特性
- 增强耐用性,V(BR)DSS = 130 V
- 在30MHz、50V条件下,输出功率150W,典型增益22dB
- 在175MHz、50V条件下,输出功率150W,典型增益14dB
- 出色的稳定性和低互调失真
- 共源极配置
- 提供配对产品
- 在指定工作条件下,负载电压驻波比(VSWR)能力达70:1
- 采用氮化物钝化工艺
- 难熔镀金工艺
- 可作为MRF151/BLF177/SD2941的低Rds替代产品
- 符合RoHS标准
应用领域
- 移动通信-无线PC局域网系统