温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVMFS5C426NWFET1G
1个N沟道 耐压:40V 电流:235A 电流:41A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS5C426NWFET1G
- 商品编号
- C3277263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 235A；41A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@10V,50A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 128W；3.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.3nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过优化，可在保持卓越开关性能的同时，将导通电阻降至最低。
商品特性
- 栅源电压 (VGS) = 10 V、漏极电流 (ID) = 80 A 时，漏源导通电阻 (RDS(on)) = 3.8 mΩ（典型值）
- 开关速度快
- 栅极电荷低
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻 (RDS(on))
- 具备高功率和大电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流
- 电池保护电路
- 电机驱动器和不间断电源