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场效应管(MOSFET)
A2T21H360-24SR6
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引脚图
此图展示了型号为 A2T21H360-24SR6 的引脚布局
焊盘图
此图展示了型号为 A2T21H360-24SR6 的焊盘布局
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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对比
A2T21H360-24SR6
N沟道 RF Power LDMOS,电流:63W,耐压:65V
品牌名称
NXP(恩智浦)
商品型号
A2T21H360-24SR6
商品编号
C3277237
包装方式
袋装
商品毛重
0.274克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)
65V
耗散功率(Pd)
278W
属性
参数值
阈值电压(Vgs(th))
1.6V
工作温度
-40℃~+225℃
类型
N沟道
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