2SJ210(0)-T1B-AT
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SJ210(0)-T1B-AT
- 商品编号
- C3277240
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15Ω@4V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 27pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 21pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -30V
- 当栅源电压(VGS)为 -10V、漏源电流(IDS)为 -7.3A 时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 35mΩ
- 当栅源电压(VGS)为 -4.5V、漏源电流(IDS)为 -5.9A 时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 48mΩ
- 低导通电阻(RDS(ON))沟槽技术。
- 低热阻。
- 快速开关速度。
- 我们声明产品材料符合 RoHS 要求且无卤。
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备以及工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。
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