NTB10N40
N沟道,电流:10A,耐压:400V
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- 品牌名称
- MOTOROLA(摩托罗拉)
- 商品型号
- NTB10N40
- 商品编号
- C3277145
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 142W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET具有超低的漏源导通电阻（RDS(on)）和真正的逻辑电平性能。它们能够在雪崩和换向模式下承受高能量，并且漏源二极管具有极短的反向恢复时间。MiniMOS™器件专为对电源效率要求较高的低压、高速开关应用而设计。规定了雪崩能量，消除了在切换电感负载的设计中的不确定性，并为应对意外电压瞬变提供了额外的安全裕量。
商品特性
- 更高的电流额定值
- 更低的 RDS(on)
- 更低的电容
- 更低的总栅极电荷
- 更严格的 VSD 规格
- 规定了雪崩能量
应用领域
-开关模式电源-PWM 电机控制-转换器-桥式电路