MTV16N50E
N沟道,电流:16A,耐压:500V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MTV16N50E
- 商品编号
- C3277169
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.48nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 448pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 560pF |
商品概述
D²PAK封装能够容纳比任何现有表面贴装封装更大的芯片，这使其可用于需要使用具备更高功率和更低导通电阻（RDS(on)）能力的表面贴装元件的应用中。这款先进的TMOS增强型场效应晶体管（E-FET）设计用于承受雪崩和换向模式下的高能量。这种新型节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的低电压、高速开关应用而设计，特别适用于二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并且能针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 坚固的高压终端
- 规定雪崩能量
- 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
- 二极管专为桥式电路应用而设计
- 规定高温下的 IDSS 和 VDS(on)
应用领域
-电源中的高速开关应用-转换器-PWM电机控制-桥式电路