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MTV16N50E实物图
  • MTV16N50E商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

MTV16N50E

N沟道,电流:16A,耐压:500V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
MTV16N50E
商品编号
C3277169
包装方式
袋装
商品毛重
0.494克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)16A
导通电阻(RDS(on))400mΩ@10V
耗散功率(Pd)180W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)65nC@10V
输入电容(Ciss)4.48nF
反向传输电容(Crss)448pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)560pF

数据手册PDF

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