商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 11pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 当VGS = 10V、ID = 10A时，RDS(on) ≤ 0.045Ω
- 当VGS = 4V、ID = 10A时，RDS(on) ≤ 0.065Ω
- 低导通电阻
- 支持4V栅极驱动
- 低驱动电流
- 高速开关
- 高密度安装
- 适用于电机驱动器、螺线管驱动器和灯驱动器
应用领域
- 高速功率开关