2SK1591(0)-T1B-A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK1591(0)-T1B-A
- 商品编号
- C3277236
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款功率MOSFET设计用于在雪崩和换向模式下承受高能量。专为电源、转换器和动力电机控制中的低电压、高速开关应用而设计，这些器件特别适用于对二极管速度和换向安全工作区要求严格的桥式电路，并能针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 规定雪崩能量
- 规定高温下的IDSS和VDS(on)
应用领域
- 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。
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