商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ |
商品概述
主要设计用于30 - 200 MHz的宽带大信号输出和驱动级。N沟道增强型MOSFET。保证在150 MHz、28 Vdc条件下的性能。输出功率 = 45 W。功率增益 = 17 dB（最小值）。效率 = 60%（最小值）。热稳定性优异，非常适合A类工作。便于手动增益控制、自动电平控制（ALC）和调制技术的实现。在所有相位角下，电压驻波比（VSWR）为30:1时进行100%负载失配测试。低反向传输电容（Crss） - 在VDS = 28 V时为8 pF。顶部金属采用镀金工艺。适用于工业、商业和业余无线电设备功率放大器应用的典型数据。
商品特性
- 低反向传输电容（Crss） - 在VDS = 28 V时为8 pF
- 顶部金属采用镀金工艺
应用领域
- 工业无线电设备-商业无线电设备-业余无线电设备