- 引脚图
- 焊盘图
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SCTH40N120G2V-7
SCTH40N120G2V-7
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- 描述
- 碳化硅功率 MOSFET 1200 V、62 mOhm（典型值）、36 A，采用 H2PAK-7 封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- SCTH40N120G2V-7
- 商品编号
- C3277217
- 商品封装
- H2PAK-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.876克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 耗散功率(Pd) | 238W |
商品概述
该碳化硅功率MOSFET器件具有每单位面积极低的导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。
商品特性
- 极高的工作结温能力（T_J=175℃）
- 非常快速且稳健的本征体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 源极Kelvin引脚以提高效率
应用领域
- 开关模式电源
- DC-DC转换器
- 工业电机控制