SCH1419-TL-E
商品参数
参数完善中
商品概述
这些双P沟道逻辑电平增强型MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经特殊调整以最小化导通电阻。此器件专为低压应用设计，可替代双极数字晶体管和小信号MOSFET。
商品特性
- 低导通电阻。
- 超高速开关。
- 2.5V驱动。
应用领域
- 电池管理
参数完善中
这些双P沟道逻辑电平增强型MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经特殊调整以最小化导通电阻。此器件专为低压应用设计，可替代双极数字晶体管和小信号MOSFET。