SCH1419-TL-E
商品参数
参数完善中
商品概述
这些双P沟道逻辑电平增强型MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经特殊调整以最小化导通电阻。此器件专为低压应用设计，可替代双极数字晶体管和小信号MOSFET。
商品特性
- -0.5 A，-20 V。VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 780 mΩ
- VGS = -2.5 V时，RDS(ON) = 1200 mΩ
- 栅极驱动要求极低，可在3V电路中直接工作（VGS(th) < 1.5V）。
- 采用紧凑的行业标准SC70 - 6表面贴装封装
应用领域
- 电池管理