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IMBG65R260M1HXTMA1
IMBG65R260M1HXTMA1
- 描述
- 基于英飞凌20多年来开发的碳化硅技术构建。利用宽带隙碳化硅材料特性，提供性能、可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣操作环境，能够实现最高系统效率的简化且经济高效的部署。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMBG65R260M1HXTMA1
- 商品编号
- C3277128
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.53克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 201pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 48pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 346mΩ |
交货周期
订货10-15个工作日购买数量
(1000个/圆盘，最小起订量 1000 个)个
起订量：1000 个1000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交4单
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