H5N2512FN-E
N沟道MOSFET,电流:18A,耐压:250V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- H5N2512FN-E
- 商品编号
- C3277125
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品概述
这款先进的TMOS增强型场效应晶体管（E-FET）旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。全新的节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的低电压、高速开关应用而设计，特别适用于二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并能为意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
~~- 规定雪崩能量-源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当-二极管适用于桥式电路-规定高温下的IDSS和VDS(ON)
应用领域
- 电源-转换器-PWM电机控制-桥式电路