4AM14
N沟道/P沟道互补功率MOSFET阵列,电流:8A,耐压:60V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 4AM14
- 商品编号
- C3277127
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品特性
- 低导通电阻
- N沟道:当VGS = 10 V、ID = 4 A时,RDS(on) ≤ 0.17
- P沟道:当VGS = -10 V、ID = -4 A时,RDS(on) ≤ 0.2
- 支持4 V栅极驱动
- 低驱动电流
- 高速开关
- 高密度贴装
- 适用于H桥电机驱动器
应用领域
- 高速功率开关