MMDFS2P102R2
P沟道, 2A, 20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MMDFS2P102R2
- 商品编号
- C3277135
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 588pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 232pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 406pF |
商品概述
FETKY产品系列集成了低RDS(on)、真正逻辑电平的MOSFET,以及业界领先的低正向压降、低泄漏肖特基势垒整流器,以节省空间的封装形式提供高效组件。MOSFET和肖特基管芯独立引脚设计,可灵活使用单个组件在多种应用中实现开关和整流功能,如降压转换器、升降压转换器、同步整流、低压电机控制,以及电池组、充电器、手机和其他便携式产品中的负载管理。
商品特性
- 带低VF、低IR肖特基整流器的功率MOSFET
- 降低元件贴装和库存成本,节省电路板空间
- 逻辑电平栅极驱动 - 可由逻辑IC驱动
- 规定了高温下的IDSS
- 提供应用信息
应用领域
- 升压开关稳压器
- 升压调节器