MMDFS2P102R2
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@0.25mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 588pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 232pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 406pF |
商品概述
HEXFET® 技术是国际整流器公司（International Rectifier）先进功率 MOSFET 晶体管产品线的关键。这种最新“先进水平”设计的高效几何结构和独特工艺实现了：极低的导通电阻与高跨导相结合。 HEXFET 晶体管还具备 MOSFET 所有公认的优势，如电压控制、极快的开关速度、易于并联以及电气参数的温度稳定性。 它们非常适合用于开关电源、电机控制、逆变器、斩波器、音频放大器和高能脉冲电路等应用。
商品特性
~~- 重复雪崩额定值-动态 dv/dt 额定值-密封封装-驱动要求简单-易于并联
应用领域
- 开关电源-电机控制-逆变器-斩波器-音频放大器-高能脉冲电路