FDD5N50UTM
N沟道,电流:3A,耐压:500V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD5N50UTM
- 商品编号
- C3277021
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
UniFETTM MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。这款MOSFET专为降低导通电阻、提供更优的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。UniFETTM Ultra FRFET MOSFET具有卓越的体二极管反向恢复性能。其反向恢复时间(trr)小于50纳秒,反向电压变化率(dv/dt)抗扰度为20V/纳秒,而普通平面MOSFET的trr超过200纳秒,dv/dt抗扰度为4.5V/纳秒。因此,在某些需要改善MOSFET体二极管性能的应用中,UniFET Ultra FRFET MOSFET可省去额外元件,提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示(FPD)电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。
商品特性
- RDS(on) = 1.65 Ω(典型值)@ VGS = 10 V, ID = 1.5 A
- 低栅极电荷(典型值11 nC)
- 低 C\text rss(典型值5 pF)
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-LCD/LED/PDP电视-照明-不间断电源