FDD5N50UTM
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品特性
- 当 VGS 为 10 V 且 ID 为 2.5 时，RDS(ON) < 130 mΩ
- 当 VGS 为 6 V 且 ID 为 1 时，RDS(ON) < 135 mΩ
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 符合欧盟 RoHS 2.0 标准的无铅产品
- 符合 IEC 61249 标准的绿色模塑化合物