FDG6318P
双P沟道,电流:-0.5A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDG6318P
- 商品编号
- C3277105
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 780mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 83pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品特性
- -0.5 A,-20 V。VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 780 mΩ
- VGS = -2.5 V时,RDS(ON) = 1200 mΩ
- 栅极驱动要求极低,可在3V电路中直接工作(VGS(th) < 1.5V)。
- 采用紧凑的行业标准SC70 - 6表面贴装封装
应用领域
-电池管理