IRF820B
商品参数
参数完善中
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的平面DMOS技术制造。 这种先进技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、功率因数校正以及基于半桥的电子灯镇流器。
商品特性
- 2.5A、500V,VGS = 10V时,RDS(on) = 2.6Ω
- 低栅极电荷(典型值14nC)
- 低Crss(典型值10pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 高速功率开关