BTS132E3129NKSA1
1个N沟道 耐压:60V 电流:24A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BTS132E3129NKSA1
- 商品编号
- C3277131
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 750pF |
商品特性
- 针对 DC/DC 转换器优化的技术
- 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数）
- 卓越的热阻
- 双面散热
- 低寄生电感
- 薄型（<0.7mm）
- N 沟道，常电平
- 100% 雪崩测试
- 无铅镀层；符合 RoHS 标准
- 按照 JEDEC 标准针对目标应用进行认证
- 与 DirectFET 封装 ST 焊盘尺寸和外形兼容