TF252TH-5-TL-H
N沟道,电流:1mA,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- TF252TH-5-TL-H
- 商品编号
- C3277087
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1mA | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.1pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 950fF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 高增益:典型增益 GV = 1.0 dB(VCC = 2V,RL = 2.2kΩ,Cin = 5pF,VIN = 10mV,f = 1kHz)
- 超小型封装,便于终端产品小型化
- 出色的电压特性
- 出色的瞬态特性
- 采用 FBET 工艺
- 符合无卤要求