商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.55nF |
商品概述
这款先进的TMOS增强型场效应晶体管（E-FET）设计用于在雪崩和换向模式下承受高能量。这种新型节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的低电压、高速开关应用而设计，特别适用于对二极管速度和换向安全工作区要求苛刻的桥式电路，并且能针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 规定雪崩能量
- 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
- 二极管特性适用于桥式电路
- 规定高温下的IDSS和VDS（导通）
- 提供表面贴装封装，有16mm、13英寸/2500个单位的卷带包装，型号后缀加T4
应用领域
-计算机-办公设备-通信设备-测试与测量设备-视听设备-家用电子电器-机床-个人电子设备-工业机器人-运输设备(汽车、火车、轮船等)-交通控制系统-防灾系统-安防系统-安全设备-非专门设计用于生命支持的医疗设备