UPA1810GR-9JG-E2-A
P沟道MOSFET,电流:4.0A,耐压:12V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA1810GR-9JG-E2-A
- 商品编号
- C3277104
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- P沟道
- 增强型
- 超逻辑电平（额定2.5 V）
- 工作温度达150°C
- 雪崩额定值
- dv/dt额定值
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 符合AEC Q101标准
应用领域
- 标准级:计算机;办公设备;通信设备;测试测量设备;视听设备;家用电子电器;机床;个人电子设备;以及工业机器人。
- 高品质级:运输设备(汽车、火车、轮船等);交通控制系统;防灾系统;防盗系统;安全设备;以及非专门用于生命维持的医疗设备。