2SK3480-S12-AZ
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 84W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 360pF |
商品概述
这款功率MOSFET旨在承受雪崩模式下的高能量，并实现高效开关。这款高能量器件还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。该器件专为电源、PWM电机控制和其他电感负载中的高压、高速开关应用而设计，其雪崩能量能力经过明确规定，可消除电感负载开关设计中的不确定性，并为意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 规定了高温下的雪崩能量能力
- 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
- 栅极电荷存储量低，实现高效开关
- 内部源漏二极管设计用于替代外部齐纳瞬态抑制器，可在雪崩模式下吸收高能量
- 具备ESD保护，典型情况下可承受400V机器模型和4000V人体模型的静电放电。
应用领域
- 电源
- PWM电机控制
- 其他电感负载