2SK1154-E
N通道,电流:3A,耐压:500V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK1154-E
- 商品编号
- C3277068
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 330pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
这些是采用MegaFET工艺制造的P沟道功率MOSFET。该工艺采用的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI）的尺寸，能使硅得到最佳利用，从而实现出色的性能。它们适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。这些晶体管可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 30A，60V
- rDS(ON) = 0.065 Ω
- 温度补偿PSPICE模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 单脉冲雪崩耐量（UIS）额定曲线
- 175°C工作温度
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防犯罪系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。