2SJ492-AZ
P沟道,电流:20A,耐压:60V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SJ492-AZ
- 商品编号
- C3277042
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.21nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 520pF |
商品概述
这些射频功率晶体管专为工作在960至1215 MHz的脉冲应用而设计。这些器件适用于占空比大、脉冲长的商用脉冲应用，如敌我识别（IFF）、二次监视雷达、广播式自动相关监视（ADS - B）应答机、测距仪（DME）和其他复杂脉冲链。
商品特性
- 内部输入和输出匹配，适用于宽带操作且使用方便
- 器件可用于单端、推挽或正交配置
- 最高可在55 VDD电压下正常工作
- 高耐用性，可承受大于20:1的电压驻波比（VSWR）
- 集成静电放电（ESD）保护，具有更大的负栅源电压范围，可改善C类操作和栅极电压脉冲
- 推荐驱动器：MRFE6VS25N（25 W）或MRF6V10010N（10 W）
- 纳入恩智浦（NXP）产品长寿计划，产品推出后至少保证供应15年
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备以及工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。