MTD20P06HDL
P沟道, 20A, 60V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MTD20P06HDL
- 商品编号
- C3277091
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 175mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.19nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
这款功率MOSFET旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。其节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。专为电源、转换器和PWM电机控制等低压、高速开关应用以及其他感性负载而设计。规定了雪崩能量能力,以消除感性负载开关设计中的不确定性,并为意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 超低RDS(on)、高单元密度、HDTMOS
- 二极管适用于桥式电路
- 规定了高温下的IDSS和VDS(on)
- 规定了雪崩能量
- 提供无铅封装
应用领域
-电源-转换器-PWM电机控制-其他感性负载