RF1S30P05
商品参数
参数完善中
商品概述
这些是采用MegaFET工艺制造的P沟道功率MOSFET。该工艺采用的特征尺寸接近大规模集成电路(LSI)的尺寸,能使硅得到最佳利用,从而实现出色的性能。它们适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。这些晶体管可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 30A,60V
- rDS(ON) = 0.065 Ω
- 温度补偿PSPICE模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 单脉冲雪崩耐量(UIS)额定曲线
- 175°C工作温度
应用领域
-开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器